[发明专利]新型TEM样品支持膜(氮化硅窗口)的制作工艺无效
| 申请号： | 201010110575.0 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101794694A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李琳;廖昭亮;李建奇;杨槐馨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00;H01J37/20 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型的TEM样品支持膜的制作工艺，具体步骤为：通过在硅基片的一面沉积氮化硅薄膜，另一面沉积掩膜层得到SiNx/Si/Mask结构；然后采用微加工工艺制作腐蚀图形。采用本发明中所公开的TEM样品支持膜的制作工艺，其氮化硅支持膜厚度可变，支持膜图案大小，形状可变，硅基片大小也可变，具有更大的灵活性，适合各种实际需要。为各种新型实验提供更多的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 tem 样品 支持 氮化 窗口 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种氮化硅窗口制作工艺：具体步骤为：通过在硅基片的一面沉积氮化硅薄膜，另一面沉积掩膜层得到SiNx/Si/Mask结构；然后采用微加工工艺制作腐蚀图形。
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