[发明专利]使用可能性写入对MRAM单元进行编程有效
| 申请号： | 201010110918.3 | 申请日： | 2010-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101814314A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 庄建祥;王鸿森;钟道文;林春荣;王郁仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 可能性 写入 mram 单元 进行 编程 | ||
【主权项】：
一种写入磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法，所述方法包括：提供第一写入脉冲以向所述MRAM单元写入值；以及在提供所述第一写入脉冲的步骤之后立即检验所述MRAM单元的状态。
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