[发明专利]非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法无效
申请号: | 201010111127.2 | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN101826574A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 陈文仁;林群福;杨益郎 | 申请(专利权)人: | 昆山正富机械工业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 215332 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,该方法包括以下步骤:首先,依据配方比例,调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的混合粉末;其次,该混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的浆料;接着,将该浆料以非真空涂布法涂布在钼层上,再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的光吸收前驱层;接着,利用多道独立气压缸控制的滚轮,来回滚压该光吸收前驱层;以及最后,将滚压后的光吸收前驱层,置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶,完成铜铟镓硒光吸收层的制作。 | ||
搜索关键词: | 真空 制作 铜铟镓硒 光吸收 方法 | ||
【主权项】:
一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,其特征在于该方法包括以下步骤:首先,依据配方比例,调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的混合粉末;其次,该混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的浆料;接着,将该浆料以非真空涂布法涂布在钼层上,再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的光吸收前驱层;接着,利用多道独立气压缸控制的滚轮,来回滚压该光吸收前驱层;以及最后,将滚压后的光吸收前驱层,置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的