[发明专利]非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法无效

专利信息
申请号: 201010111478.3 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN101840957A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 林群福;陈文仁;杨益郎 申请(专利权)人: 昆山正富机械工业有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 215332 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时,使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物薄片状材料,其中以不超过50%的薄片状材料,再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀,以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的浆料,并在快速退火热处理(Rapid thermal annealing,RTA)过程中添加VIA族粉末,使该粉末在高温下挥发,帮助补充铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)前驱层高温下的硫或硒挥发的损失。本发明由于不使用高温还原法和硒化法,节省了设备成本并避免了使用危险的硒化氢,同时由于使用不同形状的颗粒,提高所生成膜的致密性。
搜索关键词: 真空 制作 铜铟镓硒 浆料 调配 方法
【主权项】:
一种非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其特征在于其是用以在非真空环境下制作一铜铟镓硒浆料,该铜铟镓硒浆料是用以涂布在一钼层上而形成一吸收层,该方法包括以下步骤:首先,依据一配方比例,混合薄片形状且含IB、IIIA族元素的二元或三元硒化物材料,以形成一原始混合粉末,且该IB族元素包括铜,该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料;接着,添加溶剂作为混合媒介;以及最后,添加界面活性剂或接着剂并搅拌均匀以完成浆料的调配,藉以形成含有IB、IIIA族及硒元素的铜铟镓硒浆料。
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