[发明专利]以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法无效

专利信息
申请号: 201010111484.9 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN101820025A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 杨益郎;陈文仁;林群福 申请(专利权)人: 昆山正富机械工业有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 215332 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法,其主要包括以下步骤:首先依据配方比例,调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末,其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30%以下;其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂;接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上;再经过软烤形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层,并将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶,完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。本发明改善涂布后膜的致密性,且不使用硒化法,避免使用危险的硒化氢。
搜索关键词: 真空 工艺 制作 铜铟镓硒 光吸收 方法
【主权项】:
一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,其特征在于其包括以下步骤:(1)首先,依据配方比例,调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末,其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30%以下;(2)其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料;(3)接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上;(4)再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层;(5)最后将含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层,置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶,完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。
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