[发明专利]以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法无效
申请号: | 201010111484.9 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN101820025A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 杨益郎;陈文仁;林群福 | 申请(专利权)人: | 昆山正富机械工业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 215332 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法,其主要包括以下步骤:首先依据配方比例,调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末,其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30%以下;其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂;接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上;再经过软烤形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层,并将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶,完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。本发明改善涂布后膜的致密性,且不使用硒化法,避免使用危险的硒化氢。 | ||
搜索关键词: | 真空 工艺 制作 铜铟镓硒 光吸收 方法 | ||
【主权项】:
一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,其特征在于其包括以下步骤:(1)首先,依据配方比例,调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末,其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30%以下;(2)其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料;(3)接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上;(4)再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层;(5)最后将含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层,置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶,完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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