[发明专利]一种低温多晶硅薄膜材料无效
| 申请号： | 201010112041.1 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101834126A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 彭俊华;黄飚;黄宇华 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，其自下而上顺序地包括：衬底；具有凹槽结构的第一阻挡层；金属诱导层；第二阻挡层和多晶硅层。本发明的多晶硅薄膜材料能够有效控制诱导金属向非晶硅层扩散的方向和速率，提高多晶硅晶化质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，其自下而上顺序地包括：衬底；具有凹槽结构的第一阻挡层；金属诱导层；第二阻挡层；和多晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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