[发明专利]防止半导体光放大器管芯激射的封装方法无效
申请号: | 201010113049.X | 申请日: | 2010-01-28 |
公开(公告)号: | CN101916793A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 王莹;陈欣;周忠华;杨新民 | 申请(专利权)人: | 武汉华工正源光子技术有限公司;英国集成光子中心 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02;G02B7/00 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 朱盛华 |
地址: | 430223 湖北省武汉市武汉东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种防止半导体光放大器管芯激射的封装方法。在管芯组件前端粘垫片,将λ/4波片旋转φ=45°后粘至垫片上,一定面积重合,使波片能完全覆盖管芯发光区域,烘烤固胶。或直接在插针套上面贴装法拉第旋光片。旋转φ=45°的λ/4的波片粘至垫片上,使管芯发出的单偏振态光通过λ/4波片后变成圆偏振光,而反射回来的圆偏振光通过λ/4波片变成与管芯发出的单偏振光正交的单偏振光,防止了单偏振态半导体光放大器管芯激射的情况。法拉第旋光片(Faraday)将入射光旋转α=45°,返射回来光旋转90°,与管芯发出的单偏振光正交,防止单偏振态半导体光放大器管芯激射。本发明可用于单偏振态半导体光放大器管芯、半导体光放大器集成反射式电吸收调制器管芯、超辐射半导体光电二极管的管芯封装。 | ||
搜索关键词: | 防止 半导体 放大器 管芯 封装 方法 | ||
【主权项】:
防止单偏振态半导体光放大器管芯激射的封装方法,其特征在于在TO底座或者任意封装形式的管体内部贴装单偏振态半导体光放大器管芯,在半导体光放大器管芯组件前端出射光上面加一个垫片,用胶将垫片粘接到管芯组件前端,然后将λ/4波片旋转φ=45°后用胶粘接至垫片上,λ/4波片需有一定的面积与垫片重合,使波片能完全覆盖到单偏振态半导体光放大器管芯发光区域,在所需温度下烘烤直到固胶,或在TO底座或者任意封装形式的管体内部贴装单偏振态半导体光放大器管芯组件,封装非球透镜帽、球透镜帽或平窗透镜,然后在插针套上面贴装法拉第Faraday旋光片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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