[发明专利]高压金属氧化物半导体元件与制作方法有效
| 申请号： | 201010113197.1 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN102148248A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;朱焕平;杨清尧;苏宏德 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压金属氧化物半导体元件与制作方法。该高压金属氧化物半导体元件包括基板；位于该基板表面上的栅极结构；位于该基板内部的阱区，从顶面视之此阱区在水平面上构成一元件区；位于该阱区内部的漂移区；位于该阱区内部的源极；位于该漂移区内部的漏极，其与该栅极结构以该第一漂移区隔开；以及位于该基板表面下方且不涵盖整个元件区的P型掺杂区，该P型掺杂区以离子植入技术，植入P型杂质，以加强该高压金属氧化物半导体元件的崩溃防护电压(N型高压金属氧化物半导体元件)，或降低该高压金属氧化物半导体元件的导通阻值(P型高压金属氧化物半导体元件)。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含：一基板；位于该基板表面上的一栅极结构；位于该基板内部的一P型井区，从顶面视之此P型井区在水平面上构成一元件区；位于该P型井区内部的一第一N型漂移区；位于该P型井区内部的一N型源极；位于该第一N型漂移区内部的一N型漏极，其与该栅极结构以该第一N型漂移区隔开；以及位于该P型井区与该第一N型漂移区交界处且仅涵盖部分元件区的一第一P型掺杂区，该第一P型掺杂区以离子植入技术，植入P型杂质，以加强该高压金属氧化物半导体元件的崩溃防护电压。
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