[发明专利]抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法无效
| 申请号： | 201010113797.8 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102169723A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;金钢;张佶;解玉凤 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法。本发明提供的电阻随机存储器包括第一存储电阻、用于选通所述第一存储电阻的第一选通管、第二存储电阻、以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管，第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。该电阻随机存储器可以用于高安全性的抗功耗分析攻击领域的数据存储。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 分析 攻击 电阻 随机 存储器 电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器，其特征在于该电阻随机存储器包括：第一存储电阻，用于选通所述第一存储电阻的第一选通管，第二存储电阻，以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管；第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；其中，所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。
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