[发明专利]平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极有效
| 申请号： | 201010113804.4 | 申请日： | 2010-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101794850A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 平行四边形 gan 发光二极管 芯片 对称 电极 | ||
【主权项】：
一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，包括P电极和N电极，其制备方法是：对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN材料上生长P型电极，在沟槽内制备N型电极，其特征在于：LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周；P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布；在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命。
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