[发明专利]固态成像器件及其制造方法、和成像装置有效
申请号: | 201010114726.X | 申请日: | 2010-02-20 |
公开(公告)号: | CN101814516A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 酒井千秋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态成像器件及其制造方法、以及包括该固态成像器件的成像装置。所述固态成像器件包括:从硅层的背面侧接收入射光以对入射光进行光电转换的光电转换部;和朝所述硅层的正面侧输出在所述光电转换部中生成的信号电荷的像素晶体管部,其中在所述硅层的正面侧,在俯视布局上与所述光电转换部重叠的位置处设置有具有内应力的吸杂层。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种固态成像器件,包括:从硅层的背面侧接收入射光以对所述入射光进行光电转换的光电转换部;和朝所述硅层的正面侧输出在所述光电转换部中生成的信号电荷的像素晶体管部,其中在所述硅层的正面侧、在其衬底表面中在俯视布局上与所述光电转换部重叠的位置处设置有具有内应力的吸杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的