[发明专利]一种硅基X射线相位光栅制作方法及其制作装置无效
| 申请号： | 201010114728.9 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101813796A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 郭金川;周彬;牛憨笨;许桂雯;赵志刚;雷耀虎;罗建东 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G01N23/04 |
| 代理公司： | 深圳市智科友专利商标事务所 44241 | 代理人： | 孙子才 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅基X射线相位光栅制作方法和制作装置，光栅材料采用双面抛光的N型(100)硅片，通过制作刻蚀掩模版，定向刻蚀“V”字形沟道、在硅片背部制作透光导电层和进行光助电化学刻蚀，最后形成满足要求的X射线相位光栅。本发明还提供了一种专供硅片进行光助电化学刻蚀的装置。本发明提供的X射线光栅制作方法和装置中，通过调整电化学刻蚀静态工作点，即电流电压值，将工作点固定在电流电压曲线上的刻蚀区，再通过调整光源的电流改变光源的辐射亮度，达到控制空穴、实现定向刻蚀的目的。方法可靠、易于实现，装置简单、稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射线 相位 光栅 制作方法 及其 制作 装置 | ||
【主权项】：
一种硅基X射线相位光栅制作方法，光栅材料采用双面抛光的N型单晶硅片，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、采用硅半导体工艺在所述的硅片的刻蚀面上制作横截面为“V”形的沟道阵列；步骤2、在所述的硅片的刻蚀面的背面制作透光导电层；步骤3、利用光助电化学刻蚀方法，将所述的“V”形的沟道阵列刻蚀成硅基X射线相位光栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010114728.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
