[发明专利]半导体器件

摘要

提供的是半导体器件，其包括：在半导体衬底的表面形成的PW层；在半导体衬底的表面形成的以与PW层接触的NW层；在PW层中且在半导体衬底的表面形成的p+基极层；在NW层中且在半导体衬底的表面形成的n+集电极层；位于p+基极层和n+集电极层之间的并且在PW层中且在半导体衬底的表面形成的n+发射极层；和在n+集电极层和PW层之间形成的以与n+集电极层接触的n±层。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一导电类型的第一层，其在所述半导体衬底的表面形成并且具有高于所述半导体衬底杂质浓度的杂质浓度；第二导电类型的第二层，其在所述半导体衬底的所述表面形成以与所述第一层接触并且具有高于所述半导体衬底杂质浓度的杂质浓度；第一导电类型的基极层，其在所述第一层中且在所述半导体衬底的表面形成并且具有高于所述第一层杂质浓度的杂质浓度；第二导电类型的集电极层，其在所述第二层中且在所述半导体衬底的表面形成并且具有高于所述第二层杂质浓度的杂质浓度；第二导电类型的发射极层，其位于所述基极层和所述集电极层之间，其在所述第一层中且在所述半导体衬底的表面形成，并且具有高于所述第一层杂质浓度的杂质浓度；以及第二导电类型的电场弛豫层，其在所述集电极层和所述第一层之间形成以与所述集电极层接触并且具有低于所述集电极层杂质浓度和高于所述第二层杂质浓度的杂质浓度。