[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201010115392.8 申请日: 2010-02-05
公开(公告)号: CN101777319A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 邱昌明 申请(专利权)人: 深超光电(深圳)有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 丁建春;陈华
地址: 518100广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种像素结构。该像素结构包括第一、第二像素单元。源极驱动器的第一数据信号可通过第一源极线输出至第一像素单元,也可通过第一控制开关、第二源极线输出至第一像素单元。源极驱动器的第二数据信号可通过第二控制开关、第二源极线输出至第二像素单元,也可通过第三源极线输出至第二像素单元。由于第二源极线可被第一像素单元与第二像素单元所共用,因此上述像素结构不但可具有修复功能,也能有效地减少源极线的数量。
搜索关键词: 像素 结构
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于:该像素结构包括:一第一像素单元,包括:一第一像素电容;一第一像素晶体管,该第一像素晶体管的第一端通过一第一源极线耦接一源极驱动器的第一输出端,该第一像素晶体管的第二端耦接该第一像素电容,该第一像素晶体管的第三端通过一第一栅极线耦接一栅极驱动器;一第二像素晶体管,该第二像素晶体管的第一端依序通过一第二源极线、一第一控制开关耦接至该源极驱动器的第一输出端,该第二像素晶体管的第二端耦接该第一像素电容,该第二像素晶体管的第三端通过该第一栅极线耦接该栅极驱动器;以及一第二像素单元,包括:一第二像素电容;一第三像素晶体管,该第三像素晶体管的第一端通过一第三源极线耦接该源极驱动器的第二输出端,该第三像素晶体管的第二端耦接该第二像素电容,该第三像素晶体管的第三端通过一第二栅极线耦接该栅极驱动器;以及一第四像素晶体管,该第四像素晶体管的第一端依序通过该第二源极线、一第二控制开关耦接至该源极驱动器的第二输出端,该第四像素晶体管的第二端耦接该第二像素电容,该第四像素晶体管的第三端通过该第二栅极线耦接该栅极驱动器。
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