[发明专利]一种非线性光学及铁电晶体二甲基铵四硼酸锗及其制备和用途有效

专利信息
申请号: 201010116292.7 申请日: 2010-03-02
公开(公告)号: CN102191548A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 杨国昱;曹高娟 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B7/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种非线性光学及铁电晶体二甲基铵四硼酸锗及其制备和用途。其化学式为[Ge(B4O9)]·2CH3NH3,分子量为323.97,属单斜晶系,空间群C2,单胞参数为a=10.249(1),b=9.449(1),α=γ=90°,β=131.76(2)°,Z=2。采用溶剂热法制备。二甲基铵四硼酸锗具有优良的非线性光学和铁电性能。其粉末SHG系数为KDP的2.0倍,与LBO相当。其剩余极化强度大约为0.98μC·cm-2,矫顽电场为22kV·cm-1,自发极化强度为1.26μC·cm-2
搜索关键词: 一种 非线性 光学 电晶体 甲基 硼酸 及其 制备 用途
【主权项】:
1.一种具有非线性光学和铁电性能的晶体二甲基铵四硼酸锗,其特征在于:该晶体化学式为[Ge(B4O9)]·2CH3NH3,分子量为:323.97,属单斜晶系,空间群C2(No.5),单胞参数为a=10.249(1)b=9.449(1)c=6.956(2)α=γ=90°,β=131.76(2)°,V=502.43(19)Z=2。
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