[发明专利]虚拟测量先进工艺控制系统和设置方法有效
申请号: | 201010116662.7 | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN101908495A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 蔡柏沣;曾衍迪;宋金宁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00;G01R31/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种虚拟测量先进工艺控制系统。在一实施例中,虚拟测量先进工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入,处理多个晶片;测量设备,用以测量至少一个晶片的特性,并且产生真实测量数据,其中晶片包括至少一个品管样品晶片;虚拟测量模块,用以为每一个晶片产生预估测量数据;以及先进工艺控制器,用以接受预估测量数据与真实测量数据,并且根据预估测量数据与真实测量数据,产生工艺设备的工艺输入。本发明的虚拟测量先进工艺控制系统在逐片晶片控制的基础上,更新或调整后的工艺参数毋需执行个别的测量步骤。本发明还提供一种虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法。 | ||
搜索关键词: | 虚拟 测量 先进 工艺 控制系统 设置 方法 | ||
【主权项】:
一种虚拟测量先进工艺控制系统,包括:一工艺设备,根据所接收的多个工艺输入,处理多个晶片;一测量设备,用以测量至少一个上述晶片的一特性,并且产生一真实测量数据,其中上述晶片包括至少一个品管样品晶片;一虚拟测量模块,用以为每一个上述晶片产生一预估测量数据;以及一先进工艺控制器,用以接受上述预估测量数据与上述真实测量数据,并且根据上述预估测量数据与上述真实测量数据,产生上述工艺设备的上述工艺输入,其中上述品管样品晶片的上述真实测量数据用以更新上述虚拟测量模块;上述虚拟测量模块的多个关键变数仅在判断出上述虚拟测量模块所产生的上述预估测量数据不精确时被更新;以及上述虚拟测量模块的多个参数根据上述品管样品晶片的上述实际测量数据而被更新,其中上述参数择自于由权重、斜率与偏差所组成的群组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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