[发明专利]用于接纳至少一个元件的衬底以及制造衬底的方法无效

专利信息
申请号: 201010116664.6 申请日: 2010-02-09
公开(公告)号: CN101807556A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 克里斯蒂安·约布尔;海科·布拉姆尔;乌尔里希·赫尔曼;托比亚斯·非 申请(专利权)人: 赛米控电子股份有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L21/48;H01L23/58
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 车文;樊卫民
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于接纳至少一个元件的衬底以及制造衬底的方法,所述元件(3)特别是指功率半导体,在所述衬底中,由电绝缘材料制成的衬底主体(1)在至少一个前侧和/或在相对置的背侧上设有导电层(2)。为了对具有高热导率λ的衬底的制造进行简化而根据本发明提出:所述衬底主体(1)具有由陶瓷前驱体聚合物形成的热固性基质。在制造衬底的方法中,将在应用陶瓷前驱体聚合物的情况下制成的衬底主体(1)与由导电材料形成的层(2)相结合。
搜索关键词: 用于 接纳 至少 一个 元件 衬底 以及 制造 方法
【主权项】:
用于接纳至少一个元件(3)的衬底,所述元件特别是指功率半导体,在所述衬底中,由电绝缘材料制成的衬底主体(1)在至少一个前侧和/或在相对置的背侧上设有导电层(2),其特征在于,所述衬底主体(1)具有由陶瓷前驱体聚合物形成的热固性基质。
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