[发明专利]导电/超导材料的制造方法和由该方法制造的导电/超导材料无效
| 申请号： | 201010116943.2 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102194550A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李强 | 申请（专利权）人： | 田多贤 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B12/00 |
| 代理公司： | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造导电/超导晶体材料的方法和用该方法制造的导电/超导晶体材料。根据本发明的一个实施例的该方法包括：在所述导电/超导晶体材料中加入受主掺杂物，使所形成的受主掺杂能带的底部与所述导电/超导晶体材料的满带顶部的距离等于或略小于hωM/(2π)，其中ωM是该导电/超导晶体材料中的光学波的最大频率，h是普朗克常数。根据本发明的另一个实施例的该方法包括：在所述导电/超导晶体材料中加入施主掺杂物，使所形成的施主掺杂能带的顶部与所述导电/超导晶体材料的导带底部的距离等于或略小于hωM/(2π)。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 超导 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
制造导电/超导晶体材料的方法，其特征在于包括，在所述导电/超导晶体材料中加入受主掺杂物，使所形成的受主掺杂能带的底部与所述导电/超导晶体材料的满带顶部的距离等于或略小于hωM/(2π)，其中ωM是该导电/超导晶体材料中的光学波的最大频率，h是普朗克常数。
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