[发明专利]固态成像装置、电子设备以及固态成像装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010117131.X | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101834191A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 本庄亮子;山川真弥 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种固态成像装置、具有该固态成像装置的电子设备以及该固态成像装置的制造方法，该固态成像装置包括：有源元件，被配置为处理在光接收区中捕获的电荷；元件隔离区，被配置为隔离有源元件的区域；第一杂质区，被配置为围绕元件隔离区；以及第二杂质区，包括杂质浓度低于第一杂质区的杂质区，第二杂质区被设置在第一杂质区与有源元件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种固态成像装置，包括：有源元件，被配置为处理在光接收区中捕获的电荷；元件隔离区，被配置为隔离所述有源元件的区域；第一杂质区，被配置为围绕所述元件隔离区；以及第二杂质区，包括杂质浓度低于所述第一杂质区的杂质区，所述第二杂质区被设置在所述第一杂质区与所述有源元件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
