[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010117406.X | 申请日： | 2010-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101814476A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 近江俊彦 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置。该半导体装置是制造工序简单且抗外部机械应力的能力强的晶片级的半导体装置，在形成在半导体元件(2)上的金属配线(3)上形成保护膜和应力缓冲层，以使金属配线露出的方式设置贯通保护膜和应力缓冲层的导通孔，经由填塞在导通孔内的导电层形成凸块电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：半导体基板；金属配线，其配置在半导体元件上，该半导体元件设置在所述半导体基板上；保护膜，其形成在所述金属配线上，保护所述金属配线；应力缓冲层，其形成在所述保护膜上；导通孔，其贯通所述保护膜和所述应力缓冲层而设置在所述金属配线上；底层金属膜，其形成在所述导通孔的内表面、所述金属配线的表面以及所述应力缓冲层的表面上；导电层，其以填塞所述导通孔的方式形成；以及凸块电极，其形成在所述导电层上，俯看，所述导通孔位于所述凸块电极的下方，且形成在周边区域中。
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