[发明专利]一种背表面电介质钝化的太阳电池及其制备方法无效
申请号: | 201010117555.6 | 申请日: | 2010-03-03 |
公开(公告)号: | CN101794833A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 周春兰;王文静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种背表面电介质钝化的太阳电池,其背表面的背电场P+(4)为局域分布,其背表面的金属Al电极(5)通过背电场P+(4)与硅局域接触。将P型硅衬底经过制绒、单面扩散、等离子体刻蚀去边,清洗,前表面沉积减反射层,丝网印刷,然后烧结。其特征是,在沉积前表面减反射层之后,在P型硅衬底的背表面沉积Al2O3钝化膜,激光烧蚀Al2O3钝化膜形成金属接触图形,然后丝印前后电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 电介质 钝化 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种背表面电介质钝化的太阳电池,其特征是:所述太阳电池从太阳光照射面,即前表面起向下排列顺序依次为:减反射层(1)、前电极(2)、n+发射极(3)、P型硅区域(4);太阳电池的非太阳光入射面,即背表面,在P型硅区域4的下面依次为局域背电场P+(5)、金属Al电极(6)、电介质钝化膜Al2O3(7);所述背电场P+(5)为局域分布(因此称为局域背电场),所述的背表面的金属Al电极(6)通过局域背电场P+(5)与硅接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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