[发明专利]一种背表面电介质钝化的太阳电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010117555.6 申请日: 2010-03-03
公开(公告)号: CN101794833A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 周春兰;王文静 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052;H01L31/18
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种背表面电介质钝化的太阳电池,其背表面的背电场P+(4)为局域分布,其背表面的金属Al电极(5)通过背电场P+(4)与硅局域接触。将P型硅衬底经过制绒、单面扩散、等离子体刻蚀去边,清洗,前表面沉积减反射层,丝网印刷,然后烧结。其特征是,在沉积前表面减反射层之后,在P型硅衬底的背表面沉积Al2O3钝化膜,激光烧蚀Al2O3钝化膜形成金属接触图形,然后丝印前后电极。
搜索关键词: 一种 表面 电介质 钝化 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种背表面电介质钝化的太阳电池,其特征是:所述太阳电池从太阳光照射面,即前表面起向下排列顺序依次为:减反射层(1)、前电极(2)、n+发射极(3)、P型硅区域(4);太阳电池的非太阳光入射面,即背表面,在P型硅区域4的下面依次为局域背电场P+(5)、金属Al电极(6)、电介质钝化膜Al2O3(7);所述背电场P+(5)为局域分布(因此称为局域背电场),所述的背表面的金属Al电极(6)通过局域背电场P+(5)与硅接触。
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