[发明专利]具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法有效

专利信息
申请号: 201010117652.5 申请日: 2010-03-04
公开(公告)号: CN102097542B 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 陈学龙;枫政国;张简庆华;陈彰和 申请(专利权)人: 华新丽华股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/64
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 施浩
地址: 中国台湾桃园县杨*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭示一种具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的形成方法。本方法包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上制造多个凹部,其深度为p;c)形成具有多个凸部的缓冲层,凸部的深度q小于p,以致当缓冲层的凸部容纳于蓝宝石基板的凹部时,在其间形成多个间隙,以利排热;d)在缓冲层上生长多个发光层,具有形成于发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透发光层和缓冲层来形成通道,以利排热;f)通过准分子激光剥离(excimerlaser lift-off,LLO)来移除蓝宝石基板;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。
搜索关键词: 具有 结构 垂直 发光二极管 形成 方法
【主权项】:
一种具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上制造多个凹部,其深度为p;c)形成具有多个凸部的缓冲层,凸部的深度q小于p,以致当缓冲层的凸部容纳于蓝宝石基板的凹部时,在其间形成多个间隙,以利排热;d)在缓冲层上生长多个发光层,具有形成于多个发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透多个发光层和缓冲层来形成通道,以利排热;f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。
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