[发明专利]具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法有效
申请号: | 201010117652.5 | 申请日: | 2010-03-04 |
公开(公告)号: | CN102097542B | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 陈学龙;枫政国;张简庆华;陈彰和 | 申请(专利权)人: | 华新丽华股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/64 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 中国台湾桃园县杨*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的形成方法。本方法包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上制造多个凹部,其深度为p;c)形成具有多个凸部的缓冲层,凸部的深度q小于p,以致当缓冲层的凸部容纳于蓝宝石基板的凹部时,在其间形成多个间隙,以利排热;d)在缓冲层上生长多个发光层,具有形成于发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透发光层和缓冲层来形成通道,以利排热;f)通过准分子激光剥离(excimerlaser lift-off,LLO)来移除蓝宝石基板;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。 | ||
搜索关键词: | 具有 结构 垂直 发光二极管 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上制造多个凹部,其深度为p;c)形成具有多个凸部的缓冲层,凸部的深度q小于p,以致当缓冲层的凸部容纳于蓝宝石基板的凹部时,在其间形成多个间隙,以利排热;d)在缓冲层上生长多个发光层,具有形成于多个发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透多个发光层和缓冲层来形成通道,以利排热;f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。
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