[发明专利]多栅结构MOSFET模型的建模方法

摘要

本发明公开了一种多栅结构MOSFET模型的建模方法，所述方法包括：测量多栅结构MOSFET元件的SA、SB和SD参数，所述SA和SB分别为所述MOSFET元件两侧边缘分别到与其相邻最近的栅之间的距离，所述SD为相邻两根栅之间的距离；根据所述SA、SB、SD参数获取等效模型参数，根据所述等效模型参数建立所述多栅结构MOSFET模型。本发明的多栅结构MOSFET模型的建模方法可以正确建立多栅结构MOSFET模型，提高多栅结构MOSFET模型的仿真结果与实际MOSFET元件的电路参数的一致性。

主权项

一种多栅结构MOSFET模型的建模方法，其特征在于，包括：测量多栅结构MOSFET元件的SA、SB和SD参数，所述SA和SB分别为所述MOSFET元件有源区两侧边缘分别到与其相邻最近的栅之间的距离，所述SD为相邻两根栅之间的距离；根据所述SA、SB、SD参数获取等效模型参数SAeff和SBeff，所述等效模型参数包括： SA eff = 1 1 NF Σ i = 0 NF - 1 1 SA + 0.5 · L drawn + i · ( SD + L drawn ) - 0.5 L drawn SB eff = 1 1 NF Σ i = 0 NF - 1 1 SB + 0.5 · L drawn + i · ( SD + L drawn ) - 0.5 L drawn 其中，NF为所述MOSFET元件中的栅的个数，Ldrawn为所述MOSFET元件的沟道长度；根据所述等效模型参数建立所述多栅结构MOSFET模型。