[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201010118042.7 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102194817A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 程仁豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，在所述衬底中形成的多个浅隔离沟槽；在所述衬底中形成的多个有源区，所述相邻的有源区通过所述多个浅隔离沟槽间隔开；在所述多个浅隔离沟槽上形成的多晶硅层；在所述有源区和多晶硅层上形成的多层层间介电层和夹在相邻层间介电层之间的第一金属层；在位于顶层的层间介电层上形成的第二金属层，用于形成平面电感；所述有源区和多晶硅层通过在层间介电层中形成的接触孔接地从而形成图案化接地屏蔽层。根据本发明，与没有设置图案化接地屏蔽层的平面电感相比，插入图案化接地屏蔽层的平面电感提供了具有可比性或更好的Q性能，也可以减少感应的衬底耦合噪声对电路的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底中形成的多个浅隔离沟槽；在所述衬底中形成的多个有源区，所述相邻的有源区通过所述多个浅隔离沟槽间隔开；在所述多个浅隔离沟槽上形成的多晶硅层；在所述有源区和多晶硅层上形成的多层层间介电层和夹在相邻层间介电层之间的第一金属层；在位于顶层的层间介电层上形成的第二金属层，用于形成平面电感；所述有源区和多晶硅层通过在层间介电层中形成的接触孔接地从而形成图案化接地屏蔽层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010118042.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：面向物联网应用的多媒体采集传输终端及其实现方法
- 下一篇：电子广告系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
