[发明专利]形成沟道材料的方法无效
| 申请号： | 201010118194.7 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102194747A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种形成沟道材料的方法，包括以下步骤：形成衬底；在所述衬底之上形成具有伪栅堆叠的MOS器件；去除所述伪栅堆叠；在所述伪栅堆叠的下部沟道处形成沟道沟槽；用沟道材料填充所述沟道沟槽；形成栅堆叠。本发明实施例通过替换栅工艺在高温退火等高温工艺结束之后形成沟道材料，从而能够有效地避免由于高温工艺对形成的沟道材料构成的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟道 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种形成沟道材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：形成衬底；在所述衬底之上形成具有伪栅堆叠的MOS器件；去除所述伪栅堆叠；在所述伪栅堆叠的下部沟道处形成沟道沟槽；用沟道材料填充所述沟道沟槽；形成栅堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
