[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201010119645.9 | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN101814424A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 藤原真树;永田笃史;佐田彻也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能高效顺畅地进行分别回收在平流的输送流水线上供给到被处理基板的第1处理液而替换为第2处理液的动作、抑制产生显影斑的基板处理装置及基板处理方法。包括:基板输送路径,以平流输送被处理基板;第1处理液供给部件,向在基板输送路径中输送的被处理基板供给第1处理液;气体供给部件,朝向铅垂方向至输送方向下游侧中的任一方向向在基板输送路径中输送的、被供给第1处理液后的被处理基板吹规定的气流;第1冲洗液供给部件,以规定的流速向在基板输送路径中输送的、被气体供给部件吹过的气流后的被处理基板的基板表面供给第2处理液;第2冲洗液供给部件,以比第1冲洗液供给部件高的流速向被供给第2处理液后的、在基板输送路径中输送的被处理基板供给第2处理液。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,该基板处理装置向被处理基板供给第1处理液而实施规定的液处理,回收上述第1处理液而利用第2处理液对上述被处理基板进行清洗,其特征在于,包括:基板输送路径,其以平流方式输送上述被处理基板;第1处理液供给部件,向在上述基板输送路径中输送的上述被处理基板供给第1处理液;气体供给部件,其朝向铅垂方向至输送方向下游侧中的任一方向,向在上述基板输送路径中输送的、被供给上述第1处理液后的上述被处理基板的基板表面吹规定的气流;第1冲洗液供给部件,其以规定的流速向在上述基板输送路径中输送的、被上述气体供给部件吹过气流后的上述被处理基板的基板表面供给上述第2处理液;第2冲洗液供给部件,以比上述第1冲洗液供给部件高的流速向被供给上述第2处理液后的、在上述基板输送路径中输送的上述被处理基板的基板表面供给上述第2处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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