[发明专利]自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法无效
| 申请号： | 201010120054.3 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101774809A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李金富;燕东明;李康;陈新力;李国斌;常永威;高晓菊;赵斌;刘国玺;徐志雄;段关文;王拥军 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业第五二研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/584;C04B35/626;C04B35/64 |
| 代理公司： | 烟台信合专利代理有限公司 37102 | 代理人： | 迟元香 |
| 地址： | 264003山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法，其特点是它包括原料处理、配料、混合、自蔓燃反应得成品等工艺步骤，配料步骤各原料的重量配比为：金属硅粉：45-50wt％、高纯碳黑：5-10wt％、稀释剂：45wt％；其工艺简单，产品纯度高，投资少，制备的粉体烧结活性好，整个工序简单可靠，易于实现大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化 复合 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法，其特征在于它包括如下步骤：(1)原料处理：对粒度为300目的金属硅粉进行球磨处理12-16小时；(2)配料：以上述处理后的金属硅粉为原料，加入高纯碳黑、稀释剂，其重量百分比为：金属硅粉：45-50wt％，高纯碳黑：5-10wt％，稀释剂：45wt％，上述稀释剂述为氮化硅粉体，平均粒径为3-10μm；(3)混合：将配料步骤的混合物搅拌球磨1-4小时，取出后用40目筛网过筛；(4)自蔓燃反应：将上述过筛后的粉料装在半圆柱状的石墨舟内，再放置在自蔓燃反应器内，抽真空后，充入高纯氮气，压力保持在5MPa，点火引导高温自蔓燃合成，合成后通循环水冷却；(5)得成品：反应后反应器内压力会升高8MPa以上，当反应结束后，压力下降，当反应器的压力降到6MPa以下时，释放反应器内的压力，得到青绿色、疏松的块状产物，细磨后得到氮化硅复合碳化硅粉体成品。
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