[发明专利]用于制造数据存储介质的方法有效

专利信息
申请号: 201010120435.1 申请日: 2010-01-27
公开(公告)号: CN101794600A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 彭应国 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B7/26 分类号: G11B7/26
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋;袁逸
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种制造数据存储介质的方法,该方法包括提供衬底、在沉积上沉积包括磁性材料和非磁性材料的第一层、在第一层上沉积包括磁性材料和非磁性材料的第二层、并加热第二层和第一层。还提供根据本发明的方法构造的数据存储介质。
搜索关键词: 用于 制造 数据 存储 介质 方法
【主权项】:
一种制造数据存储介质的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上沉积第一层,所述第一层包括磁性材料和非磁性材料;加热所述第一层;在所述第一层上沉积第二层,所述第二层包括磁性材料和非磁性材料;以及加热所述第二层和所述第一层。
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