[发明专利]一种内嵌NMOS辅助触发可控硅结构

摘要

本发明公开了一种内嵌NMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底，P型衬底上设置N阱和P阱，N阱和P阱的交界处上方横跨有NMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅，P阱上依次设有第一P+注入区、第一浅壕沟隔离和第一N+注入区；N阱上依次设有第二N+注入区、第二P+注入区、第二浅壕沟隔离和第三N+注入区；所述的第二P+注入区和第三N+注入区均接入电学阳极，第一P+注入区和第一N+注入区均接入电学阴极；所述的多晶硅栅通过触发电路接入电学阳极和电学阴极。本发明内嵌NMOS辅助触发可控硅器件触发电压低，能够在相应范围内调整且结构简单。

主权项

一种内嵌NMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底(31)，P型衬底(31)上设置N阱(32)和P阱(33)，其特征在于：所述的N阱(32)和P阱(33)的交界处上方横跨有NMOS的栅氧(39)以及位于栅氧(39)上方的多晶硅栅(38)；所述的P阱(33)上依次设有第一P+注入区(34)、第一浅壕沟隔离(40)和第一N+注入区(35a)，其中第一N+注入区(35a)临近N阱(32)和P阱(33)的交界处；所述的N阱(32)上依次设有第二N+注入区(35b)、第二P+注入区(36)、第二浅壕沟隔离(41)和第三N+注入区(37)，其中第二N+注入区(35b)临近N阱(32)和P阱(33)的交界处；所述的第二P+注入区(36)和第三N+注入区(37)均接入电学阳极，第一P+注入区(34)和第一N+注入区(35a)均接入电学阴极；所述的多晶硅栅(38)通过触发电路接入电学阳极和电学阴极。