[发明专利]一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法无效
| 申请号： | 201010121742.1 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101813807A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 朱宇;李智勇;俞育德;余金中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种绝缘体上的硅基光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有光栅，在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导，该锥形波导大于80μm，与锥形波导连接处为亚微米波导；一光纤，该光纤的一端靠近顶硅层上的光栅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 光栅 耦合器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上的硅基光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有光栅，在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导，该锥形波导大于80μm，与锥形波导连接处为亚微米波导；一光纤，该光纤的一端靠近顶硅层上的光栅。
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