[发明专利]一种多孔超低介电常数材料薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201010121881.4 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101789418A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 付爽;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种多孔超低介电常数薄膜材料及其制备方法。本发明的制备过程采用溶胶-凝胶工艺，以有机硅氧烷为前驱体，通过控制前驱体、成孔剂、催化剂和溶剂的比例、溶液的浓度，以及合成、后处理及退火温度等条件，制备了一种超低介电常数多孔薄膜材料。该工艺过程简单，所制备的薄膜中含有有序纳米孔，薄膜表面均匀，粗糙度低，并且热稳定性好，介电常数为1.9-2.0，在1MV/cm时漏电流密度在10-8～10-9A/cm2数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 介电常数 材料 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔低介电常数材料薄膜，其特征在于该薄膜以甲基三乙氧基硅烷和1，2-二(三乙氧基硅基)乙烷的混合物为前躯体，采用溶胶、凝胶法制备获得，该薄膜热稳定性高达500℃，并且含有有序纳米孔，介电常数为1.9-2.0。
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