[发明专利]发光器件外延片和发光器件有效
| 申请号： | 201010122250.4 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826584A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 竹内隆;今野泰一郎 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光器件外延片包括n-型衬底、层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层、层叠在所述n-型包覆层上的包含量子阱结构的发光层以及层叠在所述发光层上的p-型包覆层。所述n-型包覆层包括掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合物的外延层，并且厚度不小于250nm且不超过750nm。或者，一种发光器件外延片包括n-型衬底、层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层、层叠在所述n-型包覆层上的发光层以及层叠在所述发光层上的p-型包覆层。所述n-型包覆层包括含Si的两种以上n-型杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 外延 | ||
【主权项】：
一种发光器件外延片，其包括：n-型衬底；层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层；层叠在所述n-型包覆层上的包含量子阱结构的发光层；以及层叠在所述发光层上的p-型包覆层，其中，所述n-型包覆层包括掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合物的外延层，并且厚度不小于250nm且不超过750nm。
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