[发明专利]一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种有机单晶晶体管阵列，该晶体管阵列为底栅极底接触结构，自底部朝向上表面依次包括基底的栅极、绝缘层、源漏电极阵列及有机半导体晶体，其特征在于：所述源漏电极阵列表面修饰有诱导晶体生长的石墨烯，有机半导体晶体生长于石墨烯薄膜之上。通过PDMS打印技术与物理气相传输方法相结合，特别是在石墨烯的诱导下在源漏电极阵列及绝缘层表面生长有机半导体单晶。由本发明方法制备所得的有机单晶晶体管阵列，具有单晶排列均匀的优点，且能适用于大多数有机半导体材料，有效克服了传统手工操作有机单晶进而制备大面积晶体管器件的诸多缺陷，促进了有机场效应晶体管的研究应用。

主权项

一种有机单晶晶体管阵列，所述阵列为底栅极底接触结构，自底部朝向上表面依次包括基底的栅极、绝缘层、源漏电极阵列及有机半导体晶体，其特征在于：所述源漏电极阵列表面修饰有诱导晶体生长的石墨烯，有机半导体晶体生长于石墨烯薄膜之上。