[发明专利]接触焊盘下方的MIM去耦电容器有效
| 申请号： | 201010122892.4 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101847629A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 谢豪泰;谢祯辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/92;H01L21/82;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了接触焊盘下方的MIM去耦电容器和集成电路结构，该集成电路结构包括：一个或多个外部接触焊盘，在其下直接形成诸如金属绝缘体金属(MIM)电容器的去耦电容器。在一个实施例中，去耦电容器形成在第一金属化层之下，在另一实施例中，去耦电容器形成在最上面的金属层间电介质层中。去耦电容器的下极板电耦合至Vdd和Vss中的一个，而去耦电容器的上极板电耦合至另一个。去耦电容器可包括形成在外部接触焊盘下面的去耦电容器阵列，并且可以包括一个或多个虚拟去耦电容器。一个或多个虚拟去耦电容器为MIM电容器，其中，上极板和下极板中的至少一个不电耦合至外部接触焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 下方 mim 电容器 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：芯片，具有外部接触焊盘；一个或多个去耦金属绝缘体金属(MIM)电容器，直接在所述外部接触焊盘下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
