[发明专利]分立栅快闪存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010123642.2 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101807577A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 顾靖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种分立栅快闪存储器及其制造方法。其中分立栅快闪存储器，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅氧化层，位于栅氧化层上的分立结构单元，所述分立结构单元具有：位于栅氧化层上的浮栅，所述浮栅表面为具有倾斜角度的弧形；位于浮栅表面的栅间介质层；位于栅间介质层上的控制栅；位于控制栅上的第一侧壁层；位于控制栅内侧壁的第二侧壁层；位于第一侧壁、第二侧壁层、栅间介质层、浮栅内侧壁的第三侧壁层；位于两个分立结构单元之间且填充满其间空隙的字线；位于分立结构单元外侧壁的侧墙。本发明使闪存擦除或写入的性能得到改善，提高了快闪存储器的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分立 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种分立栅快闪存储器，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅氧化层，位于栅氧化层上的分立结构单元，所述分立结构单元具有：位于栅氧化层上的浮栅，位于浮栅表面的栅间介质层，位于栅间介质层上的控制栅，位于控制栅上的第一侧壁层，位于控制栅内侧壁的第二侧壁层，位于第一侧壁、第二侧壁层、栅间介质层、浮栅内侧壁的第三侧壁层；位于两个分立结构单元之间且填充满其间空隙的字线；位于分立结构单元外侧壁的侧墙；其特征在于，所述浮栅表面为具有倾斜角度的弧形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
