[发明专利]金属淀积腔无效
| 申请号： | 201010123652.6 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101787513A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 高峰;谭璜 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的金属淀积腔用于硅片上表面金属薄膜的淀积，包括卡环、加热台和能作三维运动的支撑架；所述支撑架位于所述卡环的下方；所述加热台设置在所述支撑架内，该加热台能在垂直于水平面的方向上相对所述支撑架作升降运动；所述支撑架在垂直于水平面的方向上作升降运动，改变所述硅片相对所述卡环的间距，该支撑架在二维水平面内移动，使所述卡环的中心与所述硅片的中心处在同一条垂直于水平面的直线上。本发明金属淀积腔可使卡环的中心始终与硅片的中心在同一条垂直于水平面的直线上，避免硅片粘贴到卡环上。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 淀积腔 | ||
【主权项】：
一种金属淀积腔，用于硅片上表面金属薄膜的淀积，包括卡环和加热台，其特征在于，还包括能作三维运动的支撑架；所述支撑架位于所述卡环的下方；所述加热台设置在所述支撑架内，该加热台能在垂直于水平面的方向上相对所述支撑架作升降运动；所述支撑架在垂直于水平面的方向上作升降运动，改变所述硅片相对所述卡环的间距，该支撑架在二维水平面内移动，使所述卡环的中心与所述硅片的中心处在同一条垂直于水平面的直线上。
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