[发明专利]一种形成通孔的方法有效
| 申请号： | 201010124583.0 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194735A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成通孔的方法，包括提供前端器件层；在前端器件层的表面沉积刻蚀停止层；在刻蚀停止层的表面形成层间介质层；在层间介质层的表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层的表面形成抗反射层；在所述抗反射层的表面形成光刻胶层；采用曝光显影工艺，形成具有开口图案的光刻胶层；对具有开口图案的光刻胶层进行等离子体放电处理；以具有开口图案的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀抗反射层、硬掩膜层和层间介质层，直到刻蚀到刻蚀停止层为止。根据本发明，能够解决由于光刻胶开口处残余物的存在导致刻蚀后形成的通孔的关键尺寸与设定值不一致的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成通孔的方法，包括：提供前端器件层；在所述前端器件层的表面沉积刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层的表面形成层间介质层；在所述层间介质层的表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层的表面形成抗反射层；在所述抗反射层的表面形成光刻胶层；采用曝光显影工艺，形成具有开口图案的光刻胶层；对所述具有开口图案的光刻胶层进行等离子体放电处理；以所述具有开口图案的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、所述硬掩膜层和所述层间介质层，直到刻蚀到所述刻蚀停止层为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
