[发明专利]固态图像捕获装置、制造该装置的方法以及图像捕获设备有效
申请号: | 201010125195.4 | 申请日: | 2010-02-25 |
公开(公告)号: | CN101826539A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 古闲史彦;工藤义治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态图像捕获装置、制造该装置的方法以及图像捕获设备。固态图像捕获装置在半导体基底中包括:光电转换部分,对入射光执行光电转换以获得信号电荷;像素晶体管部分,将光电转换部分中产生的信号电荷输出;外围电路部分,形成在包括光电转换部分和像素晶体管部分的像素部分的外围;以及隔离区域,形成为将光电转换部分、像素晶体管部分和外围电路部分彼此电气分离。像素晶体管部分外围的隔离区域每个具有形成为高于半导体基底的表面的绝缘部分。像素晶体管部分的晶体管的第一栅电极形成在绝缘部分之间并且形成在半导体基底上使得两者之间夹置栅绝缘膜。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 捕获 装置 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】:
一种固态图像捕获装置,其在半导体基底中包括:光电转换部分,对入射光执行光电转换以获得信号电荷;像素晶体管部分,将所述光电转换部分中产生的所述信号电荷输出;外围电路部分,形成在包括所述光电转换部分和所述像素晶体管部分的像素部分的外围;以及隔离区域,形成为将所述光电转换部分、所述像素晶体管部分和所述外围电路部分彼此电气分离;其中,所述像素晶体管部分外围的所述隔离区域每个具有形成为高于所述半导体基底的表面的绝缘部分;并且其中,所述像素晶体管部分的晶体管的第一栅电极形成在所述绝缘部分之间并且形成在所述半导体基底上使得在两者之间夹置栅绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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