[发明专利]固态图像捕获装置、制造该装置的方法以及图像捕获设备有效

专利信息
申请号: 201010125195.4 申请日: 2010-02-25
公开(公告)号: CN101826539A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 古闲史彦;工藤义治 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武;南霆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及固态图像捕获装置、制造该装置的方法以及图像捕获设备。固态图像捕获装置在半导体基底中包括:光电转换部分,对入射光执行光电转换以获得信号电荷;像素晶体管部分,将光电转换部分中产生的信号电荷输出;外围电路部分,形成在包括光电转换部分和像素晶体管部分的像素部分的外围;以及隔离区域,形成为将光电转换部分、像素晶体管部分和外围电路部分彼此电气分离。像素晶体管部分外围的隔离区域每个具有形成为高于半导体基底的表面的绝缘部分。像素晶体管部分的晶体管的第一栅电极形成在绝缘部分之间并且形成在半导体基底上使得两者之间夹置栅绝缘膜。
搜索关键词: 固态 图像 捕获 装置 制造 方法 以及 设备
【主权项】:
一种固态图像捕获装置,其在半导体基底中包括:光电转换部分,对入射光执行光电转换以获得信号电荷;像素晶体管部分,将所述光电转换部分中产生的所述信号电荷输出;外围电路部分,形成在包括所述光电转换部分和所述像素晶体管部分的像素部分的外围;以及隔离区域,形成为将所述光电转换部分、所述像素晶体管部分和所述外围电路部分彼此电气分离;其中,所述像素晶体管部分外围的所述隔离区域每个具有形成为高于所述半导体基底的表面的绝缘部分;并且其中,所述像素晶体管部分的晶体管的第一栅电极形成在所述绝缘部分之间并且形成在所述半导体基底上使得在两者之间夹置栅绝缘膜。
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