[发明专利]多波长半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201010125911.9 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101924323A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 大仓裕二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及多波长半导体激光器装置。在将波长不同的激光二极管芯片横向排列来构成多波长半导体激光器装置的情况下，各激光二极管芯片的发光点间的距离变长，光学设计困难。此外，在将各激光二极管芯片纵向层叠的情况下，组装程序复杂、制造成本变高。本发明在1个热沉上安装波长不同的多个激光器芯片，构成多波长半导体激光器装置。能够提供光学设计容易、散热特性优越、并且容易制造的多波长半导体激光器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】：
一种多波长半导体激光器装置，其特征在于，具有：块；以及振荡波长不同的多个激光二极管，在所述块中在规定的方向上形成有具有底面和2个侧面的、剖面为コ字型的槽，所述激光二极管以该激光二极管发出的激光的射出方向沿着所述规定方向的方式配置在所述槽的所述底面上和所述侧面上。
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