[发明专利]一种测量磁化率各向异性的方法无效
| 申请号： | 201010126280.2 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101788654A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 任忠鸣;任树洋;任维丽;操光辉;邓康;钟云波;雷作胜 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01R33/16 | 分类号： | G01R33/16 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种测量磁化率各向异性的方法，属物质磁性之磁化率测量技术领域。本发明特点是利用薄膜在强磁场中发生取向的原理，通过XRD确定发生取向的磁场强度，通过SEM确定该磁场下薄膜的晶粒体积而计算出磁化率各向异性。易磁化轴磁化率χ||和垂直于易磁化轴磁化率χ⊥在300K时满足 |
||
| 搜索关键词： | 一种 测量 磁化率 各向异性 方法 | ||
【主权项】：
一种测量磁化率各向异性的方法，其特征在于具有以下的过程和步骤：a.利用超导强磁场下真空蒸发沉积薄膜装置，在室温(300K)下，将欲镀膜的基片放置于装置内的工作台上，基片在平行和垂直磁场方向都有放置，将预测量的物质蒸发，按固定的蒸发速率，蒸发相同时间，两个方向的基片上分别沉积该物质的薄膜；分别在1～12T磁场下逐点沉积12次薄膜，可根据实际情况增加沉积的磁场测量点；b.对a步骤沉积的薄膜进行X射线衍射分析(XRD)，找到薄膜发生取向改变的磁场强度B；c.利用扫描电子显微镜(SEM)高倍显微镜分别对磁场强度B下制备的薄膜进行显微观察，计算单个晶粒的平均体积；d.利用薄膜在强磁场中的取向原理计算易磁化轴磁化率χ‖和垂直于易磁化轴磁化率χ⊥，即可测量出磁化率各向异性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010126280.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
