[发明专利]使用等离子体处理的部件形成方法无效
| 申请号： | 201010126998.1 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101885470A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | Y·吴;M·莫卡塔利 | 申请（专利权）人： | 施乐公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 吴晓萍;钟守期 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法，所述方法包含：(a)形成一种包含未聚结的含银纳米颗粒的部件；(b)加热所述未聚结的含银纳米颗粒以形成聚结的含银纳米颗粒；和(c)对所述未聚结的含银纳米颗粒或所述聚结的含银纳米颗粒，或者对所述未聚结的含银纳米颗粒和所述聚结的含银纳米颗粒二者进行等离子体处理，其中在步骤(c)之前，所述部件表现出低导电性，但在步骤(b)和(c)之后，所述部件的导电性提高至少约100倍，其中步骤(c)在加热之前、或在加热过程中、或在加热之后的一个或多个中进行。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 等离子体 处理 部件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包含：(a)形成一种包含未聚结的含银纳米颗粒的部件；(b)加热所述未聚结的含银纳米颗粒以形成聚结的含银纳米颗粒；和(c)对所述未聚结的含银纳米颗粒或所述聚结的含银纳米颗粒，或者对所述未聚结的含银纳米颗粒和所述聚结的含银纳米颗粒二者进行等离子体处理，其中在步骤(c)之前，所述部件表现出低导电性，但在步骤(b)和(c)之后，所述部件的导电性提高至少约100倍，其中步骤(c)在加热之前、或在加热过程中、或在加热之后的一个或多个中进行。
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