[发明专利]一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件有效
| 申请号： | 201010128023.2 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102194869A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄德涛;刘文;王思浩;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1018cm-3～5×1018cm-3，重掺杂区的上界面距离沟道表面30～40纳米，下界面在源漏PN结上下20纳米的区域内。本发明通过优化超陡倒掺杂器件的参数，在器件的短沟道特性满足常规应用的情况下增强了器件的抗总剂量辐照性能，这对于提高应用于空间环境中的集成电路芯片的可靠性和寿命具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 性能 增强 超陡倒 掺杂 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种超陡倒掺杂MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1018cm‑3～5×1018cm‑3，重掺杂区的上界面距离沟道表面30～40纳米，下界面在源漏PN结上下20纳米的区域内。
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