[发明专利]反应器、化学气相沉积反应器以及有机金属化学气相沉积反应器无效
申请号: | 201010128191.1 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN102154624A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 陈卫国;陈京玉 | 申请(专利权)人: | 财团法人交大思源基金会 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种反应器、化学气相沉积反应器以及有机金属化学气相沉积反应器。反应器具有多个独立热库。每一热库可通过加热与冷却的方式,来调整热库温度。第一热库与第二热库面对面相对设置,且两者内侧具有一预定的距离及一预定的夹角。第一热库上可放置至少一基板,基板位于的一热库与第二热库之间,且第二热库的温度较第一热库的温度为高,以增进反应物的热分解效率。 | ||
搜索关键词: | 反应器 化学 沉积 以及 有机 金属 | ||
【主权项】:
一种反应器,用以在至少一基板上形成一薄膜,其特征在于,包含:一第一热库;以及一第二热库,该第一热库与该第二热库面对面相对设置,以形成一反应区,两个热库相对的内侧面具有一夹角,且该第一热库的温度与该第二热库的温度可独立控制,其中该第一热库用以放置该至少一基板,且该至少一基板位于该第一热库与该第二热库之间,并在该第一热库上的该至少一基板形成一薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人交大思源基金会,未经财团法人交大思源基金会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010128191.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的