[发明专利]固态摄像装置的制造方法

摘要

本发明提供一种固态摄像装置的制造方法，能够防止在形成偏移间隔层时对硅基板的蚀刻损伤，抑制像素晶体管的噪声的产生和光电转换部的白点的产生。在半导体基板(11)上形成覆盖经由逻辑电路部(14)的晶体管的第1栅绝缘膜(31N、31P)形成的第1栅电极(32N、32P)、经由像素晶体管部(12)的第2栅绝缘膜(51)形成的第2栅电极(52)、浮动扩散部的形成区域(AFD)和光电转换部(21)的第1绝缘膜(71)后，在用掩模(83)覆盖光电转换部(21)、像素晶体管部(12)和浮动扩散部的形成区域(AFD)的状态下，对第1绝缘膜(71)进行回蚀，从而在第1栅电极(32N、32P)的侧壁上形成偏移间隔层(33)。

主权项

一种固态摄像装置的制造方法，该固态摄像装置在半导体基板上具有：光电转换部，对入射光进行光电转换并输出信号电荷；像素晶体管部，经由浮动扩散部输入从上述光电转换部读出的信号电荷并在放大后输出；以及逻辑电路部，对从上述像素晶体管部输出的信号电荷进行处理，上述制造方法包括以下步骤：在上述半导体基板上形成覆盖经由第1栅绝缘膜形成的上述逻辑电路部的晶体管的第1栅电极、经由第2栅绝缘膜形成的上述像素晶体管部的第2栅电极、上述浮动扩散部和上述光电转换部的第1绝缘膜后，在掩蔽上述光电转换部、上述像素晶体管部和上述浮动扩散部的状态下，对上述第1绝缘膜进行回蚀，从而在上述第1栅电极的侧壁上形成偏移间隔层。