[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极有效
| 申请号： | 201010128803.7 | 申请日： | 2010-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101826434A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 桧森慎司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J37/30 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，控制等离子体生成时所消耗的高频的电场强度分布。该等离子体处理装置用的电极为在利用高频能量生成等离子体、对晶片(W)进行等离子体处理的等离子体蚀刻装置(10)中使用的电极，该电极具有：由金属形成的基材(105a)；设置在基材(105a)的等离子体侧的面的中央部、至少一部分从基材(105a)露出的第一电介质(105b)；和设置在第一电介质(105b)和等离子体之间、由金属形成规定图案的第一电阻体(105d)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 电极 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器；在所述处理容器的内部相互对置、并在其间形成处理空间的第一电极和第二电极；和与所述第一电极和第二电极中的至少一个连接、向所述处理容器内输出高频电力的高频电源，其中，所述第一电极和第二电极中的至少一个包含：由金属形成的基材；在所述基材的等离子体侧的中央部设置的第一电介质；和设置在所述第一电介质和等离子体之间、由金属形成为规定图案的第一电阻体。
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