[发明专利]循环使用挡片的方法有效
| 申请号： | 201010129098.2 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102191472A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张进创;黄柏喻;叶文源;王蒙;邵明虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种循环使用挡片的方法，所述挡片用于置入离子注入机，监控离子注入机注入剂量的正确性，该方法包括：对挡片进行N次预定剂量的离子注入，每次预定剂量的离子注入用于监控每次使用离子注入机时，其注入剂量的正确性，N为自然数；当N次所述离子注入后，挡片内离子注入的积累剂量达到E17原子每平方厘米时，对该挡片注入与所述离子注入相反类型的元素，所述相反类型元素的剂量为E17原子每平方厘米。采用本发明的方法有效延长了挡片的使用寿命，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 循环 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种循环使用挡片的方法，所述挡片dummy wafer用于置入离子注入机，监控离子注入机注入剂量的正确性，该方法包括：对挡片进行N次预定剂量的离子注入，每次预定剂量的离子注入用于监控每次使用离子注入机时，其注入剂量的正确性，N为自然数；当N次所述离子注入后，挡片内离子注入的积累剂量达到E17原子每平方厘米时，对该挡片注入与所述离子注入相反类型的元素，所述相反类型元素的剂量为E17原子每平方厘米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010129098.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
