[发明专利]激光二极管装置无效
| 申请号： | 201010129840.X | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101834406A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 一仓启慈;仓本大 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一激光二极管装置，包括：包含铝Al的n型覆层；包含铟In、镓Ga和氮N的有源层；设置于衬底和n型覆层之间的共掺杂层。该共掺杂层也包含镓Ga和氮N，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅Si和锗Ge之一和作为受主工作的杂质的镁Mg和锌Zn之一。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 装置 | ||
【主权项】：
一种激光二极管装置，包括：由GaN构成的衬底；设置于所述衬底的一表面侧上的n型覆层和p型覆层，由包含至少3B族元素中的镓和至少5B族元素中的氮构成的氮化物III-V族化合物半导体构成，并且至少部分包含铝Al；设置于所述n型覆层和所述p型覆层之间的有源层，由包含至少3B族元素中的铟和镓和至少5B族元素中的氮的氮化物III-V族化合物半导体构成；和设置于所述衬底和所述n型覆层之间的共掺杂层，由包含至少3B族元素中的镓和至少5B族元素中的氮的III-V族化合物半导体构成，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅和锗之一和作为受主工作的杂质的镁和锌之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010129840.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
