[发明专利]金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件

摘要

本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

主权项

一种用于半导体器件的金属电极形成方法，包括：在半导体衬底(11)的主表面上形成基底电极(12)，其中所述基底电极(12)电连接到半导体元件；在所述基底电极(12)上形成保护膜(13)，并在所述保护膜(13)中形成开口(13a)，使得所述基底电极(12)从所述开口(13a)暴露出来；在所述保护膜(13)上形成金属膜(14)，以覆盖所述保护膜(13)和所述保护膜(13)的所述开口(13a)；以及利用切削工具(321，331)切削具有所述金属膜(14)的所述半导体衬底(11)，使得仅一部分所述金属膜(14)保留在所述保护膜(13)的所述开口(13a)中，其中所述金属膜(14)的所述部分提供金属电极(15)，其中所述切削工具(321，331)包括切削表面(321a，331a)，所述切削表面具有第一刀刃部分和第二刀刃部分，其中所述第一刀刃部分设置在所述切削表面(321a，331a)的第一侧上，而所述第二刀刃部分设置在所述切削表面(321a，331a)的第二侧上，其中所述切削表面(321a，331a)的所述第一侧面向所述切削工具(321，331)的前向，而所述切削表面(321a，331a)的所述第二侧面向所述切削工具(321，331)的后向，其中所述切削工具(321，331)沿所述前向移动，而所述后向与所述前向相反，其中所述切削工具(321，331)以预定的间距按步进方式移动，并且其中以如下方式确定所述间距：所述第一刀刃部分切削所述金属膜(14)在所述保护膜(13)上的堆叠层；以所述预定间距移动所述切削工具(321，331)；并且所述第二刀刃部分切削所述保护膜(13)暴露出来的区域。