[发明专利]发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201010130080.4 申请日: 2010-03-23
公开(公告)号: CN102201426A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 沈佳辉;洪梓健 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种发光二极管,其包括一透明基板及多个发光结构单元。每个发光结构单元包括N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层。P型半导体层表面设置有P型接触电极,N型半导体层表面设置有N型接触电极。该发光结构单元进一步包括一从P型半导体层延伸到N型半导体层的凹陷部,该凹陷部内填充有金属材料,且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面。该金属材料分为相互绝缘的两部分,形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。本发明通过在发光结构单元的凹陷部内填充金属材料,由于金属材料具有较好的导热性能,发光层所产生的热量能够迅速传递到金属材料中,有利于发光二极管的散热。本发明还提供了一种发光二极管的制作方法。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
一种发光二极管,其包括一透明基板及在透明基板形成的多个发光结构单元,每个发光结构单元包括依次层叠的N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层,P型半导体层表面设置有P型接触电极,N型半导体层表面设置有N型接触电极,其特征在于,该发光结构单元进一步包括一凹陷部,该凹陷部从P型半导体层延伸到N型半导体层,该凹陷部内填充有金属材料,且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面,该金属材料分为相互绝缘的两部分,形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。
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