[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201010130080.4 | 申请日: | 2010-03-23 |
公开(公告)号: | CN102201426A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 沈佳辉;洪梓健 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管,其包括一透明基板及多个发光结构单元。每个发光结构单元包括N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层。P型半导体层表面设置有P型接触电极,N型半导体层表面设置有N型接触电极。该发光结构单元进一步包括一从P型半导体层延伸到N型半导体层的凹陷部,该凹陷部内填充有金属材料,且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面。该金属材料分为相互绝缘的两部分,形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。本发明通过在发光结构单元的凹陷部内填充金属材料,由于金属材料具有较好的导热性能,发光层所产生的热量能够迅速传递到金属材料中,有利于发光二极管的散热。本发明还提供了一种发光二极管的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,其包括一透明基板及在透明基板形成的多个发光结构单元,每个发光结构单元包括依次层叠的N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层,P型半导体层表面设置有P型接触电极,N型半导体层表面设置有N型接触电极,其特征在于,该发光结构单元进一步包括一凹陷部,该凹陷部从P型半导体层延伸到N型半导体层,该凹陷部内填充有金属材料,且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面,该金属材料分为相互绝缘的两部分,形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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