[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201010130286.7 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194679B | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶片半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成具有氧化层-氮化层-氧化层叠层结构的侧壁层；对晶片表面进行氢氟酸处理。采用本发明的方法能够大大减少侧壁层形成之后晶片表面的氧化物杂质缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶片半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成具有氧化层‑氮化层‑氧化层叠层结构的侧壁层；对晶片表面进行检测，在检测到氧化物杂质缺陷时，对晶片表面进行氢氟酸处理去除所述氧化物杂质缺陷；所述形成具有氧化层‑氮化层‑氧化层叠层结构的侧壁层的方法包括：在栅极结构的多晶硅层表面，以及半导体衬底表面依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层；干法刻蚀第一氧化层、氮化层和第二氧化层，保留第一氧化层、氮化层和第二氧化层侧壁上的厚度，以及保留水平面上的第二氧化层；湿法刻蚀水平面上的剩余第二氧化层至预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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